近期,三星电子设备解决方案(DS)部门负责人兼副董事长全永铉(Jun Young-hyun)与英伟达公司CEO黄仁勋,在加利福尼亚州桑尼维尔的英伟达总部举行了一次重要会议。此次会议聚焦于三星电子改进其高带宽存储器HBM3E产品中的初始缺陷问题,并就三星第五代HBM3E产品向英伟达供应的相关事宜进行了深入讨论。
此次高层会晤引发了外界的广泛关注。据推测,三星8层HBM3E产品的质量认证工作已接近尾声,这标志着三星即将正式迈入英伟达的HBM供应链。对于三星而言,这无疑是其在存储器领域取得的又一重要突破,有望进一步提升其在全球半导体市场的竞争力。
会议期间,双方就HBM3E产品的技术细节、生产计划以及供应安排等进行了详细交流。全永铉副董事长表示,三星将全力以赴,确保HBM3E产品的质量和供应稳定性,以满足英伟达的需求。而黄仁勋CEO也对三星的努力表示赞赏,并期待双方在未来能够开展更加紧密的合作。
此次会晤不仅展示了三星与英伟达之间的良好合作关系,也为双方未来的合作奠定了坚实的基础。
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