CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET数据手册

这款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。
*附件：CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET 数据表.pdf

特性

• 低 RDS（开启）
• Low-Thermal Resistance
• 雪崩评级
• 逻辑电平
• 无铅端子电镀
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• SON 5 mm × 6 mm 塑料封装

参数

方框图

1. 产品概述

• ?型号?：CSD18513Q5A
• ?类型?：40V N沟道 NexFET 功率MOSFET
• ?封装?：SON 5mm × 6mm 塑料封装
• ?特点?：低导通电阻（R_DS(ON)）、低热阻、雪崩额定、逻辑电平、无铅端子镀层、RoHS合规、无卤素

2. 应用领域

• DC-DC转换
• 次级侧同步整流
• 电池电机控制

3. 电气特性

3.1 静态特性

• ? 漏源电压（V_DS） ?：40V
• ? 栅源阈值电压（V_GS(th)） ?：1.5V 至 2.4V
• ? 导通电阻（R_DS(on)） ?：
  • V_GS = 4.5V时：4.1mΩ 至 5.3mΩ
  • V_GS = 10V时：2.8mΩ 至 3.4mΩ
• ? 漏源泄漏电流（I_DSS） ?：1μA（V_GS = 0V, V_DS = 32V）
• ? 栅源泄漏电流（I_GSS） ?：100nA（V_DS = 0V, V_GS = 20V）

3.2 动态特性

• ? 输入电容（C_iss） ?：3300pF 至 4280pF（V_GS = 0V, V_DS = 20V, f = 1MHz）
• ? 输出电容（C_oss） ?：333pF 至 433pF
• ? 反向传输电容（C_rss） ?：178pF 至 231pF
• ? 栅极总电荷（Q_g） ?：
  • V_DS = 20V, I_D = 19A时：
    • V_GS = 4.5V：23nC 至 30nC
    • V_GS = 10V：45nC 至 59nC
• ? 栅极到漏极电荷（Q_gd） ?：8.8nC
• ? 开启延迟时间（t_d(on)） ?：6ns
• ? 上升时间（t_r） ?：12ns
• ? 关断延迟时间（t_d(off)） ?：21ns
• ? 下降时间（t_f） ?：4ns

3.3 二极管特性

• ? 二极管正向电压（V_SD） ?：0.8V 至 1.0V（I_SD = 19A, V_GS = 0V）
• ? 反向恢复电荷（Q_rr） ?：12nC（V_DS = 20V, I_F = 19A, di/dt = 300A/μs）
• ? 反向恢复时间（t_rr） ?：12ns

4. 热信息

• ? 结到壳热阻（R_θJC） ?：1.3°C/W
• ? 结到环境热阻（R_θJA） ?：
  • 典型值：50°C/W（安装在1in? 2oz Cu板上）
  • 最大值：125°C/W（安装在最小2oz Cu板上）

5. 绝对最大额定值

• ? 漏源电压（V_DS） ?：40V
• ? 栅源电压（V_GS） ?：±20V
• ? 连续漏电流（I_D） ?：
  • 封装限制：100A
  • 硅限制（T_C = 25°C）：124A
• ? 脉冲漏电流（I_DM） ?：400A
• ? 功率耗散（P_D） ?：
  • 封装限制：3.1W
  • T_C = 25°C时：96W
• ? 工作结温（T_J）、存储温度（T_stg） ?：-55°C 至 150°C
• ? 雪崩能量（E_AS） ?：106mJ（单脉冲，I_D = 46A，L = 0.1mH，R_G = 25Ω）

6. 封装与订购信息

• ?封装尺寸?：详细尺寸图见数据表第8-9页
• ?订购信息?：
  • CSD18513Q5A：2500片/13英寸卷带
  • CSD18513Q5AT：250片/7英寸卷带