二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;反向电流(Ir):10uA@1kV;

二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1V@1A;反向电流(Ir):10uA@1kV;

类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):20.8W;

放大器组数:2;输入失调电压(Vos):5mV;增益带宽积(GBP):1.2MHz;

二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):900mV@3A;反向电流(Ir):1mA@40V;

二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.1V@1A;反向电流(Ir):5uA@1kV;

二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):20V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):750mV@3A;反向电流(Ir):1mA@20V;

二极管配置:-;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+175℃@(Tj);

DFN2510-10 ESD Protection Devices ROHS

反向截止电压(Vrwm):5V@Max;击穿电压:6V;最大钳位电压:25V;