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放大器组数:2;输入失调电压(Vos):5mV;增益带宽积(GBP):1.2MHz;
MSKSEMI
反向截止电压(Vrwm):5V@Max;击穿电压:6V;最大钳位电压:25V;
MSKSEMI
二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):550mV@3A;反向电流(Ir):500uA@40V;
MSKSEMI
二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):20V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):750mV@3A;反向电流(Ir):1mA@20V;
MSKSEMI
M7
此款SMA封装4007整流二极管,他能完美的处理最大1安培的连续正向电流和稳定的反向耐压,确保在PCB板上能稳定运行,被广泛应用于适用于各种电源整流、简单电压调节、保护电路以及桥式整流电路等,特别是在需要小体积、高密度组装的电子产品中。
MSKSEMI
Single IAV=5A IR=200uA@40V VF=550mV@5A VRRM=40V DO-214AC Diodes - General Purpose ROHS
MSKSEMI
MOSFETs P-Channel SOT23-3 Vds=20V Vgs=±8V Id=3A Pd=350mW
MSKSEMI
输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:18V;输出电压:3.3V;输出电流:1A;
MSKSEMI
二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):900mV@3A;反向电流(Ir):1mA@40V;
MSKSEMI
二极管配置:-;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+175℃@(Tj);
MSKSEMI